晶圓鍍銦柱Pillar：操作電(dian)流密度范圍廣，鍍層(ceng)均勻，不(bu)受被鍍物幾何形狀的影響。
操作條件
參 數 | 范 圍 | 最 佳 值 |
銦金屬 | 40 - 60 g/L | 50 g/L |
甲基磺酸(suan) | 47 - 67 g/L | 57 g/L |
溫度 | 40 – 60 ℃ | 50 ℃ |
REM-7397 | 40 - 60 ml/L | 50 ml/L |
溶液攪動 | 強力攪動 | |
陰極電流密度 | 5 - 60 ASD | 依設備及產品而定 |
陽極：陰極比 | 1:1 - 6:1 | |
沉積(ji)速率 | 2 到 3um/min(10ASD) | |
